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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術

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タイトル通り、なるべくやさしく半導体後工程技術について解説しているつもりです。
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#パッケージ

なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(BGAのボール落ち問題)

 国内電機メーカーで半導体後工程(パッケージングから基板実装)の分野でパッケージ設計から生産技術や品質管理と信頼性まで長年担当しました。現在は、技術士(機械部門)資格を基に品質・技術コンサルタントをやっています。 ご相談、お仕事のご依頼は以下のページからどうぞ ボール落ち(破断)問題とは  半導体のパッケージの一つのBGA(ボール・グリッド・アレイ)は、基板への実装前にボール(半田ボール)が欠落していたり、実装後に接続が切れていたり(ボールとパッケージ基板間でオープンに

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(2.5/3Dパッケージとかチップレット技術)

久々に書きます。 昨年から半導体関係で耳慣れない言葉がちらほらと出てきました。 『2.5 Dパッケージ』とか『3Dパッケージ』とか『チップレット』とか言っているあれです。 一応、その分野で長いことお仕事をしていたので理解していますが、学会とか経産省などの資料から少しだけ解説しますね。

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(パッケージ評価技術編②)

半導体は開発された当初から長い間、コンピューターなどの据え置き型の機器に搭載されて使われる環境が続いていました。その間の信頼性としては長期の動作に関係する環境での評価(温度範囲、湿度など)が主な試験項目でした。 それが携帯電話の登場でモバイル機器独特の環境(主に扱う人が落としてしまう、曲げてしまう、車やバイクに固定して振動をもらう)が新たに出現しました。携帯電話以前にもモバイル機器はありましたけど(例:ビデオCAM)、携帯電話に比べて大きくて頑丈だったり高価だったりしたので

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(パッケージ評価技術編①)

パッケージングの各工程の評価技術として色々な方法がありますが、大きく分類すると以下な手法に分けられます。(他にもあるかもしれません)

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(各製造工程の要素技術:梱包編)

半導体の製造工程の最後の工程です。 梱包工程は包装するだけでしょ!?と思われている方が大半だと思います。 ところが、この工程は想像以上に大事な工程です。 というのは、

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(各製造工程の要素技術:捺印編)

工程フローに沿った解説シリーズは後半に入りました。 今回は捺印です。 捺印は滲みやダブりなどのトラブルが多発していたインク捺印から、有機溶剤規制により導入が加速されたレーザー捺印への移行が終了したことで捺印における職人技的な部分がなくなりました。 レーザー捺印は基本的には刻印(表面を刻んで文字を生成)なので、捺印を消して贋作(偽物)を作れないと言われましたが、それを克服した技術が生まれています。

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(リードフレーム編)

さて、今回はリードフレームについて解説します。 リードフレームはその名の通り、リード(端子)がフレームにくっついているものです。QFPを例とするとリードフレームに求められるものは 電気特性:導電率(抵抗) 熱的特性:熱抵抗 機械的特性:引っ張り強度、曲げ強度 他にもありますが代表的な特性は上の3つが挙げられます。

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(各製造工程の要素技術:T&F編)

リードフレームを使用したパッケージはモールドの後に、メッキ(外装メッキ)を経てT&F工程(Trim & Form:切断・整形)が次の工程です。 (メッキについては別の機会に) はっきり言って、金型が全ての世界です。

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(各製造工程の要素技術:モールド編)

モールドはトランスファーモールドとコンプレッションモールドの2つの方法があります。トランスファーモールドは簡単にいうと注射器を使って樹脂を注入する方法。コンプレッションモールドは面圧をかけて形を成形する方法と全く異なります。それぞれに向いているパッケージと向いていないパッケージがあります。 その前にプラズマクリーニング 樹脂とリードフレームや基板との蜜着性向上を目的として導入されました。微かな記憶ではDRAMにLOC構造を採用されたあたりからだったんじゃないかと。 それ以

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(各製造工程の要素技術:ダイボンディング編)

パッケージングの要素技術の中で進化が目覚ましかったのはダイボンディング技術とワイヤーボンディング技術とモールド技術だろうと個人的には思います。 今回はダイボンディング技術についてのお話しですが、今回は技術的な内容が多めの内容になっております。脱線もしますが、若干むずかしくなっているかもしれません。加えて長いのでご容赦くださいませ。

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(パッケージ製造工程フロー編)

 今回は代表的なパッケージの製造工程フローについて解説します。 パッケージの製造工程はざっくりと、 ✅ ボンディングパッドとリードフレーム(パッケージ基板等)とWB接続 ✅ FC(フリップチップ)接続によるもの(C4) ✅ Au-Au圧接による接続 ✅ TAB技術がベースのもの ✅ WLP(FOWLP)のようにウェーハプロセス技術を応用 ✅ 部品や金属部品や特殊加工を追加 という、基本的には上の様な特色があります。全て封止との組み合わせです。 現実には何種類あるのか(あっ

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(そもそもパッケージって何の為?)

今回は、特別編として根本的な半導体のパッケージの目的についてです。 半導体の回路が形成されたシリコンチップは ・単結晶シリコンでできたウェーハの表面層には配線やトランジスタがいくら多層化されても100μmくらいの厚さはないものが形成されている。 ・チップ上の端子(ボンディングパッド)のサイズは大きくても200μm X 200μmと平均的な髪の毛の断面(直径、約300μm)よりも小さい 。また端子間ピッチは100μmピッチって狭い。(もっと狭いものもある) ・シリコンは

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(パッケージ分類編:SMD編)

前回の続き

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(パッケージ分類編:THDまで編)

半導体素子を搭載するパッケージは外部端子(リードやボールやランド)の配置(プリント基板などへの実装スタイル)、主材料、構造、などの視点により分類が変わってしまいます。また、分類の一つとしてパッケージの厚みやリードピッチ(端子間ピッチ)によってはパッケージ呼称の前に区別するために記号がついたりすることもあります。 そこで、今回はプリント基板への実装方法による分類と主に外形(外観)の視点による分類で解説しようと思います。見た目でのパッケージ分類を最初に解説することが理解しやすく、

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