ステドク記事 | SKハイニックス、400層NANDフラッシュを開発、2026年上半期に量産予定

【要点】

◎ SKハイニックスが開発した400層NANDフラッシュは、ストレージ密度と生産効率を大幅に向上させ、データセンターやスマートフォンメーカー、およびそのサプライチェーンに直接的な影響を与え、より高性能なストレージソリューションを提供します。

◎ ハイブリッドボンディング技術、特に「ウェーハツーウェーハ（W2W）」技術の採用により、SKハイニックスは半導体市場でのリーダーシップを維持し、競争環境に影響を与え、業界全体の技術進歩を促進する可能性があります。

【背景】

◎ NANDフラッシュ技術の開発は、ストレージ密度の向上とコスト削減の鍵となってきました。データの需要が高まるにつれ、業界は市場の需要を満たすために技術の進歩を推進し続けています。

◎ SKハイニックスは、NANDフラッシュ技術でサムスンなどの競合他社と激しく競争し、イノベーションを通じて市場での優位性を獲得しようとしています。

【出来事】

◎ SKハイニックスは400層NANDフラッシュの研究開発を開始し、2024年末までに量産を達成する予定で、完全な量産は2026年前半に予定されています。

◎ 同社は「ハイブリッドボンディング」技術を採用しており、特に「ウェーハツーウェーハ（W2W）」技術を使用して記憶密度と生産効率を向上させています。

◎ SKハイニックスの技術革新には、積層プロセスの高温および高電圧の制限を克服するために、周辺回路の上に蓄電セルを積層する「ペリアンダーセル（PUC）」構造が含まれます。

【今後の展望】

◎ SKハイニックスの400層NANDフラッシュ技術が量産に達すると、ストレージ製品のパフォーマンスと容量が大幅に向上し、増大するデータストレージ需要に対応できるようになります。

◎ この技術の開発と応用が成功すれば、半導体業界全体がより高レベルのNANDフラッシュを推進し、ストレージ技術の進歩が促進される可能性があります。

◎ ハイブリッドボンディング技術の採用により、SKハイニックスは世界の半導体市場で競争上の優位性を獲得し、サムスン電子など他の主要ライバルとの競争が激化するでしょう。

【彼らの見解】

◎ SKハイニックスは、技術開発と量産計画は機密事項であるため、400層NANDフラッシュの具体的な計画については詳細にコメントできないと述べました。

◎ 業界アナリストらは、SKハイニックスが採用したハイブリッドボンディング技術と「ペリアンダーセル（PUC）」構造は、既存のNANDフラッシュ製造技術における主要な革新であり、市場に大きな影響を与えるとコメントしました。