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住友ベークライト、世界で初めてシリコンビア(TSV)接続3次元積層DRAM向け圧縮成形用封止樹脂を販売開始

発表日:2024年5月31日

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概要

住友ベークライト株式会社(本社: 東京都品川区、代表取締役社長: 藤原一彦)は、世界で初めて3DS-TSVメモリ(シリコンビア接続3次元積層DRAM)に対応した圧縮成形用封止材樹脂(顆粒材)を開発しました。この製品は既存の液状樹脂の代替として、顧客の生産性向上とAI市場の革新に貢献します。

3DS-TSV向け圧縮成形用封止樹脂(顆粒)

開発の背景

近年、データ通信における高速・大容量・低遅延・高効率コンピューティングのニーズが高まっており、それに伴い半導体パッケージング技術に対する小型化および高速化の要求も増しています。

半導体パッケージングの小型化の課題

半導体デバイスの小型化を実現するために、3DS-TSV(Through-Silicon Via)技術の採用が進んでいます。

TSVはシリコンウェハー上に穿孔された微細な穴を通じて、複数の層を貫通させ、デバイスの集積度を向上させる技術です。これにより多くの機能を小スペースに収めることができ、電力供給が効率化され、省電力化が実現します。

従来、チップの積層間の狭いギャップを充填するために、液状樹脂が採用されてきました。液状樹脂は充填性が良好ですが、パッケージ反りが大きい生産性が低いコストが高いなどの課題がありました。

3DS-TSV向け圧縮成形用封止樹脂

住友ベークライトは、狭ギャップ充填性とパッケージ反り改善の両立を目指して技術開発を進め、5umカットフィラーを適用した圧縮成形用封止樹脂(顆粒材)を製品化しました。液状樹脂から顆粒樹脂への置き換えにより、顧客の生産効率とパッケージ品質の向上が見込まれます。

技術のポイント

  • 5umカットフィラー顆粒材により、3DS-TSVの狭部充填が可能

  • チップコーナーへのストレス緩和のため、低弾性レジンを採用

  • CTE(熱膨張率)のコントロールにより、反りの低減を実現

TSV構造と技術ポイント

今後の展開

TSVは、3D積層技術において重要な役割を果たしており、高性能デバイスや高密度メモリに貢献しています。将来的には、より高密度なTSVの実現や新たな応用領域への展開が期待されています。

なお今回の製品は、2024年に大手メモリメーカーでの3DS-TSVの量産立ち上げに使用される予定です。


参考文献


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