中国の科学者らが新記録を樹立！超電導転移温度11.6ケルビンの遷移金属ジカルコゲナイド(TMD) 超電導材料の発見

中国の科学者らが、新たな超電導材料の革命的な発見を行いました。その独特な格子構造により、転移温度11.6Kという遷移金属ジカルコゲナイド(TMD) の新記録を樹立しました。
TMD材料は、超伝導、二次元半導体、トポロジカル量子状態などの利点により、触媒、エネルギー貯蔵、集積回路などの分野での利用が進んでおり、この発見は重要な意味を持ちます。

超電導性は、インジウム硫化物 (InSe2) とニオブ硫化物 (NbSe2) の結合層が特異な層状構造に結晶化されていることから発現します。これらの層は、2H相のニオブ硫化物のvan der Waalsギャップに挿入されます。この超伝導体は、11.6 Kで超伝導転移を示し、臨界電流密度は8.2 × 105 A/cm2です。これらの数値は、周囲の圧力下での遷移金属ジカルコゲナイド超伝導体の中で最高です。この発見は、遷移金属ジカルコゲナイド中の超伝導に関連する現象のさらなる調査に理想的な材料プラットフォームを提供します。

詳細内容は、JACSが提供する元記事を参照してください。

【引用元】

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.3c09756

【読み上げ】
VOICEVOX 四国めたん/No.7