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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術

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タイトル通り、なるべくやさしく半導体後工程技術について解説しているつもりです。
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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(各製造工程の要素技術:モールド編)

モールドはトランスファーモールドとコンプレッションモールドの2つの方法があります。トランスファーモールドは簡単にいうと注射器を使って樹脂を注入する方法。コンプレッションモールドは面圧をかけて形を成形する方法と全く異なります。それぞれに向いているパッケージと向いていないパッケージがあります。 その前にプラズマクリーニング 樹脂とリードフレームや基板との蜜着性向上を目的として導入されました。微かな記憶ではDRAMにLOC構造を採用されたあたりからだったんじゃないかと。 それ以

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(そもそもパッケージって何の為?)

今回は、特別編として根本的な半導体のパッケージの目的についてです。 半導体の回路が形成されたシリコンチップは ・単結晶シリコンでできたウェーハの表面層には配線やトランジスタがいくら多層化されても100μmくらいの厚さはないものが形成されている。 ・チップ上の端子(ボンディングパッド)のサイズは大きくても200μm X 200μmと平均的な髪の毛の断面(直径、約300μm)よりも小さい 。また端子間ピッチは100μmピッチって狭い。(もっと狭いものもある) ・シリコンは

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(パッケージ分類編:SMD編)

前回の続き

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(パッケージ分類編:THDまで編)

半導体素子を搭載するパッケージは外部端子(リードやボールやランド)の配置(プリント基板などへの実装スタイル)、主材料、構造、などの視点により分類が変わってしまいます。また、分類の一つとしてパッケージの厚みやリードピッチ(端子間ピッチ)によってはパッケージ呼称の前に区別するために記号がついたりすることもあります。 そこで、今回はプリント基板への実装方法による分類と主に外形(外観)の視点による分類で解説しようと思います。見た目でのパッケージ分類を最初に解説することが理解しやすく、

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