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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術

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本
タイトル通り、なるべくやさしく半導体後工程技術について解説しているつもりです。
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#金型

なるべくやさしく解説・半導体後工程技術（各製造工程の要素技術：T&F編）

リードフレームを使用したパッケージはモールドの後に、メッキ（外装メッキ）を経てT＆F工程（Trim & Form：切断・整形）が次の工程です。 （メッキについては別の機会に） はっきり言って、金型が全ての世界です。

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術（各製造工程の要素技術：モールド編）

モールドはトランスファーモールドとコンプレッションモールドの２つの方法があります。トランスファーモールドは簡単にいうと注射器を使って樹脂を注入する方法。コンプレッションモールドは面圧をかけて形を成形する方法と全く異なります。それぞれに向いているパッケージと向いていないパッケージがあります。 その前にプラズマクリーニング 樹脂とリードフレームや基板との蜜着性向上を目的として導入されました。微かな記憶ではDRAMにLOC構造を採用されたあたりからだったんじゃないかと。 それ以

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術（パッケージ製造工程フロー編）

　今回は代表的なパッケージの製造工程フローについて解説します。 パッケージの製造工程はざっくりと、 ✅　ボンディングパッドとリードフレーム（パッケージ基板等）とWB接続 ✅　FC（フリップチップ）接続によるもの（C4） ✅　Au-Au圧接による接続 ✅　TAB技術がベースのもの ✅　WLP（FOWLP）のようにウェーハプロセス技術を応用 ✅　部品や金属部品や特殊加工を追加 という、基本的には上の様な特色があります。全て封止との組み合わせです。 現実には何種類あるのか（あっ

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