半導体研究、ついにオングストローム世代に向かう。

アジア経済ニュースNNA ASIAは2023年03月24日に、台湾行政院(内閣)国家科学・技術委員会(国科会)は2023年03月22日に、半導体関連の産学フォーラムと研究成果発表会を開催し、その中で、半導体の回路線幅が1ナノメートル(ナノは10億分の1)の10分の1に当たるオングストローム(angstrom/0.1ナノ)世代の半導体の研究などの進捗(しんちょく)が発表されたと報告した。

国科会の発表資料によると、オングストローム世代の半導体については、2021年05月に開始した第1期研究計画で0.003ナノ製造プロセスの検査に成功したことなどが報告された。

このほか化合物半導体分野では、第5世代(5G)移動通信システムに次ぐ新たな高速通信システム「B5G(ビヨンド5G)」や6G(第6世代)移動通信システム、電動車両、再生エネルギーなど新興分野での応用に向け、周波数や耐圧性を引き上げる技術のR&D研究開発(Research and Development)に焦点を当てていることなどが説明された。
AI(Artificial Intelligence/人工知能)チップなどの分野での研究成果も発表された。

国科会によると、台湾政府は2020年からオングストローム世代の半導体計画を策定。国科会は経済部(経済産業省)と提携し、化合物半導体や新興半導体を含めた設計計画などを進めてきたと伝えている。

つまり、まだ先はある。

物理的に、どこまで可能なのか？

Nanometer to Angstrom Conversion Table

Nanometer [nm]=Angstrom [A]
0.01 nm=0.1 A
0.1 nm=1 A
1 nm=10 A
2 nm=20 A
3 nm=30 A
5 nm=50 A
10 nm=100 A
20 nm=200 A
50 nm=500 A
100 nm=1000 A
1000 nm=10000 A

https://www.nna.jp/news/2497789
https://www.researchgate.net/publication/321150111_From_Nano-_to_Angstrom_Technology
https://www.unitconverters.net/length/nanometer-to-angstrom.htm
https://link.springer.com/chapter/10.1007/978-3-319-68053-8_1
https://www.jetro.go.jp/ext_images/_Reports/01/c1353759e5d86029/20220008_ver3.pdf