【学会誌】ALDで作製した金属酸化物のデバイス応用

aeddgin

こんにちは。
『表面技術』2023年3月号を読んでいます。
読んだ記事について、気になったポイントをメモしておきたいと思います。

今回読んだ記事のタイトルは「電子デバイスへ向けた原子層堆積法で作製した金属酸化膜の研究」で著者はNIMSの生田目さんです。

内容

ALDを使って製膜した酸化物で電子デバイスを作製、評価した内容が紹介されています。

  • HfSiOx膜を用いたGaNキャパシタ

  • 炭素ドープInOx系酸化物を用いた半導体チャネル

ポイント

  • HfSiOx膜はSiO2とHfO2の積層膜を加熱することで得られる

  • SiO2膜の成膜レートは下地材料となる金属酸化物に含まれる金属と酸素の電気陰性度差と相関がみられ、電気陰性度差が大きいほど成膜速度も上昇する

  • InOx系酸化物は、酸化剤ガスにH2O/O3の混合ガスを用いることで成長速度を上昇することが出来たり、解離エネルギーの大きいC-Oをドープすることが出来る

今日は以上です。

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