NTTらは、中性子のもつエネルギーごとの半導体ソフトエラー発生率を今まで測定がされていなかった10 meV～1 MeVの低エネルギー領域において、連続的データとして実測することに成功、その全貌を世界で初めて明らかにした。
https://group.ntt/jp/newsrelease/2023/03/16/230316a.html