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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術

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本
タイトル通り、なるべくやさしく半導体後工程技術について解説しているつもりです。
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#半導体関連

なるべくやさしく解説・半導体後工程技術（パッケージ製造工程フロー編）

　今回は代表的なパッケージの製造工程フローについて解説します。 パッケージの製造工程はざっくりと、 ✅　ボンディングパッドとリードフレーム（パッケージ基板等）とWB接続 ✅　FC（フリップチップ）接続によるもの（C4） ✅　Au-Au圧接による接続 ✅　TAB技術がベースのもの ✅　WLP（FOWLP）のようにウェーハプロセス技術を応用 ✅　部品や金属部品や特殊加工を追加 という、基本的には上の様な特色があります。全て封止との組み合わせです。 現実には何種類あるのか（あっ

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術（そもそもパッケージって何の為？）

今回は、特別編として根本的な半導体のパッケージの目的についてです。 半導体の回路が形成されたシリコンチップは ・単結晶シリコンでできたウェーハの表面層には配線やトランジスタがいくら多層化されても100μmくらいの厚さはないものが形成されている。 ・チップ上の端子（ボンディングパッド）のサイズは大きくても200μm X 200μmと平均的な髪の毛の断面（直径、約300μm）よりも小さい 。また端子間ピッチは100μmピッチって狭い。（もっと狭いものもある） ・シリコンは

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術（パッケージ分類編：SMD編）

前回の続き

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術（パッケージ分類編：THDまで編）

半導体素子を搭載するパッケージは外部端子（リードやボールやランド）の配置（プリント基板などへの実装スタイル）、主材料、構造、などの視点により分類が変わってしまいます。また、分類の一つとしてパッケージの厚みやリードピッチ（端子間ピッチ）によってはパッケージ呼称の前に区別するために記号がついたりすることもあります。 そこで、今回はプリント基板への実装方法による分類と主に外形（外観）の視点による分類で解説しようと思います。見た目でのパッケージ分類を最初に解説することが理解しやすく、

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術（解説予定内容編）

はじめに半導体製造工程の後工程と言われている分野は、私が携わってきた分野です。この分野はウェーハプロセス（半導体製造工程の前工程とも言われる）が工程技術も経済規模も大きいのでメジャーですが、ウェーハだけでは半導体は完成できません。後工程に含まれるパッケージング（アセンブリ工程）や試験（テスト工程）や完成品を梱包する工程や品質・信頼性技術も必要です。 また、半導体製品を購入したお客様が半導体を基板に実装する技術や部材とも関連します。つまり関連するエリアはとても広いのです。 これ

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