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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術

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タイトル通り、なるべくやさしく半導体後工程技術について解説しているつもりです。
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2022年6月の記事一覧

なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(各製造工程の要素技術:ダイボンディング編)

パッケージングの要素技術の中で進化が目覚ましかったのはダイボンディング技術とワイヤーボンディング技術とモールド技術だろうと個人的には思います。 今回はダイボンディング技術についてのお話しですが、今回は技術的な内容が多めの内容になっております。脱線もしますが、若干むずかしくなっているかもしれません。加えて長いのでご容赦くださいませ。

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(各製造工程の要素技術:(バックグラインディングとダイシング編)

それでは、個別の工程の解説編スタートです。 今回も脱線すると思いますのでご容赦くださいませ。

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(パッケージ製造工程フロー編)

 今回は代表的なパッケージの製造工程フローについて解説します。 パッケージの製造工程はざっくりと、 ✅ ボンディングパッドとリードフレーム(パッケージ基板等)とWB接続 ✅ FC(フリップチップ)接続によるもの(C4) ✅ Au-Au圧接による接続 ✅ TAB技術がベースのもの ✅ WLP(FOWLP)のようにウェーハプロセス技術を応用 ✅ 部品や金属部品や特殊加工を追加 という、基本的には上の様な特色があります。全て封止との組み合わせです。 現実には何種類あるのか(あっ

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(そもそもパッケージって何の為?)

今回は、特別編として根本的な半導体のパッケージの目的についてです。 半導体の回路が形成されたシリコンチップは ・単結晶シリコンでできたウェーハの表面層には配線やトランジスタがいくら多層化されても100μmくらいの厚さはないものが形成されている。 ・チップ上の端子(ボンディングパッド)のサイズは大きくても200μm X 200μmと平均的な髪の毛の断面(直径、約300μm)よりも小さい 。また端子間ピッチは100μmピッチって狭い。(もっと狭いものもある) ・シリコンは

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(パッケージ分類編:SMD編)

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