LT1166によるブートストラップ準コンプリメンタリAB級MOSFETアンプの基板設計その２

設計を見直して、GaN FET(ピン配置: GSD)も試せるようにしました。

PCB上面

DC/DCコンバータの位置を変更して、ダーリントンドライバをヒートシンクとともにボード上に戻しました。

PCB下面

出力段の配線長が短くなるように配置を変更しました。
また、LT1166の基準面をGNDからVoutに変更しました。
GNDの取り回しも変更しました。

しばらく寝かせて、改善点が浮かばなくなったら、試作して見たいと思います。