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LT1166によるブートストラップ準コンプリメンタリAB級MOSFETアンプの基板設計その2
設計を見直して、GaN FET(ピン配置: GSD)も試せるようにしました。
![](https://assets.st-note.com/img/1703894762666-TBKRE19M7B.png?width=1200)
DC/DCコンバータの位置を変更して、ダーリントンドライバをヒートシンクとともにボード上に戻しました。
![](https://assets.st-note.com/img/1703894784299-YIxsFkx1Bo.png?width=1200)
出力段の配線長が短くなるように配置を変更しました。
また、LT1166の基準面をGNDからVoutに変更しました。
GNDの取り回しも変更しました。
しばらく寝かせて、改善点が浮かばなくなったら、試作して見たいと思います。
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