東京大学らは、磁性半金属テルル化クロムの強磁性転移温度、磁気異方性、異常ホール効果などの性質をゲート電圧で大きく変調することに成功した。劇的なゲート効果が観測されたため、新原理スピントロニクスデバイスへの応用展開が期待される。 https://www.t.u-tokyo.ac.jp/press/pr2024-04-15-001