🟦高速eFuseによりSiC/GaNパワーデバイスの安全性向上

旭化成エレクトロニクスとSilicon Austria Labs、 自動車用高電圧アプリケーションにおけるeFuseの技術検証に成功

旭化成エレクトロニクスとSilicon Austria Labs、 自動車用高電圧アプリケーションにおけるeFuseの技術検証に成功 | 2024年度 | ニュース | 旭化成株式会社

🟦eFuseによりSiC/GaNパワーデバイスの安全性向上

　旭化成エレクトロニクスとSALは、SiCパワーデバイス用eFuse技術の共同技術検証に成功しました。この技術は、自動車の充電器などのシステムの安全性を大幅に向上させ、部品やメンテナンスのコストを削減できる可能性があります。

🟦高速eFuseが必要な理由

　電気自動車をはじめとする高電圧アプリケーションでは、高効率化のため、SiCやGaNといった次世代半導体材料を用いたパワーデバイスへの移行が進んでいます。しかし、SiC/GaNパワーデバイスはSiデバイスよりも高価で、過電流が発生した場合に迅速に保護しないと損傷する可能性があります。

　従来のヒューズでは遮断時間が長いため、デバイスを保護できない場合があります。eFuseは、従来のヒューズよりも高速な応答速度を持ち、短絡や過電流などの異常を検知すると瞬時に回路を遮断することができます。

🟦まとめ

従来のヒューズでは実現できなかった高速な応答速度と高精度な電流制限機能により、SiC/GaNパワーデバイスを安全に保護し、システム全体の性能向上に貢献する旭化成エレクトロニクスとSALの検証

　従来のヒューズは、個体差が大きく、安全マージンを確保するために限界性能を引き出すのが難しいという課題がありました。一方、eFuseは高速な応答速度と高精度な電流制限機能により、従来のヒューズよりも高い安全性を確保しつつ、デバイスの性能を最大限に引き出せますね。