NANDメモリーの最新テクノロジーは？

🟩NANDは100層を超える3次元構造へ

かつてNANDメモリーはチップ上に構築したトランジスターを微細化して集積度を高める2次元構造であった。しかし微細化の限界にぶつかり、2006年ごろから垂直に積み上げる3次元構造を採用するようになっています。そのおかげで2006年以降NANDフラッシュメモリの記憶密度はほぼ2年に2倍のペースで増え続けていいます。

🟩NANDメモリの主要プレーヤー

　サムスン電子
　キオクシア-ウエスタンディジタル陣営
　SKハイニクス
　マイクロン

2020年にSKハイニクスがインテルNAND事業部門の買収したため、世界には大きく4つのNANDメモリの主要プレーヤーがいる。

🟩各社の最新世代

NAND業界では層数により第３世代（３２層）、第４世代（６４、７２層）、第５世代（９２、９６層）、第６世代（１２８層）に区分する。１世代を超えるためには通常１～２年ほどかかる。

サムスン電子

2020年から積層NANDフラッシュ「V-NAND」は最新の第6世代で128層を達成し、TLCで512Gb(ギガビット)の容量を実現しています。

また2021 年第下半期には第7世代の176層のV NAND型 V-NANDをリリースする。さらに、サムスン電子はすでに200層を超える８世代ＶＮＡＮＤの試作を完了させたと伝えている。

マイクロン

マイクロンテクノロジーは2020年から「世界初」の176層3D NANDフラッシュメモリを量産出荷を開始した。

キオクシア

2007年に3次元積層構造を用いたフラッシュメモリを世界で初めて公表した元東芝メモリーのキオクシア。現在は2020年から量産を開始している、第5世代となる112層積層プロセスを適用した「BiCS FLASHTM」

ウエスタンデジタルコーポレーションと共同で162層の第6世代３D NANDフラッシュメモリーを開発したと発表されている。

SKハイニックス

SKハイニックスは2021年に176層512ギガビット（Gb）トリプルレベルセル（TLC）4DNANDフラッシュの開発が完了したことを発表しました。176段NAND型フラッシュメモリの開発は、米国の半導体企業マイクロン（Micron）社に続いて2番目でした。

YMTC(長江存儲科技)

2021年から中国メモリー半導体企業のYMTC(長江存儲科技)が128層3D NAND型フラッシュメモリー製品の量産を開始した。2018年末に64層と96層を飛ばして直ちに128層開発に突入し、2020年末に量産を始めると宣言した。

🟩まとめ

NANDメモリーの最新テクノロジーは 160~176層の3D NAND

NANDは集積度を高めるために、2D->3Dへ発展してきた様々な困難を乗り越える研究開発者の努力のおかげだろう。半導体はムーアの法則に従って進化を継続し続けているし、今後も続く。