メモリ

FEでも勉強したけど、復習がてらまとめ。

DRAM(ドラム)

DRAMとは
Dynamic Random Access Memory
の頭文字。
メインメモリに使われる。

メモリ内に無数のコンデンサを持ち、コンデンサに電荷が蓄えられているかどうかで0か1をの信号を区別する。
揮発性。
コンデンサは何もしなければ放電されてしまい、電荷は失われる。
定期的にデータを読み出し、再度書き込みする作業が求められる。
その作業を「リフレッシュ（更新）」と呼び、
常にリフレッシュを行うために動き続ける性質から
Dynamic（動的）と名付けられた。
構造がシンプルだから大容量メモリに向いており、
大量生産が可能なので、安価。
SRAMに比べると遅い。
リフレッシュのために常に電力消費をする。

SRAM(スラム)

SRAMとは
Static Random Access Memory
の頭文字。
Static=静的

フリップフロップ回路を用いている。
DRAMのように何かしなくても、電源供給されていれば
データを保持できる。
リフレッシュ要らずで、高速で読み書き可能。
集積化が難しく、高密度にならないので、大容量メモリには不向き。

DDR

DDRとは
Dance Dance Revolution(違)
Double Data Rate
の頭文字。

データの読み書きを同時に行う構造。

SDRAMの上位互換。
SDRAMとはSyncronous DRAMの略。同位相DRAM。
SDRAMはDRAMよりも高効率化されたが、
読み込み・書き込みは一つずつデータ転送をしていた。
これを同時転送できるようにしたのがDDR。
二倍の速度で実現できる。
SDRAMを利用したものには変わりないため、
「DDR SDRAM」として浸透している。
DDR2,DDR3,DDR4と続いており、
DDR4が現在最も普及しているメモリの規格。

DDR4 XXXX
⇒Xの数字は速度を表している。
数字が大きければ大きいほど速い。

相変化メモリ

PCM
Phase Change RAM
の頭文字。
またはPRAM。

カルコゲナイド系合金結晶状態と非結晶状態（アモルファス状態）における
電気抵抗の差を利用した不揮発性メモリ。
２つの状態は電気的に移行可能だから内容の書き換えが可能。
DRAMに近い記憶密度を実現可能であり、DVD-RAMの基本材料としても用いられている。

フラッシュメモリに比べて書き込みが高速で書き換え寿命が長く、
高密度化がしやすい。
しかし、書き込み時の消費電力が大きいことや熱に弱いという難点があるため、広く実用するに至っていない。