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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術

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タイトル通り、なるべくやさしく半導体後工程技術について解説しているつもりです。
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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(各製造工程の要素技術:捺印編)

工程フローに沿った解説シリーズは後半に入りました。 今回は捺印です。 捺印は滲みやダブりなどのトラブルが多発していたインク捺印から、有機溶剤規制により導入が加速されたレーザー捺印への移行が終了したことで捺印における職人技的な部分がなくなりました。 レーザー捺印は基本的には刻印(表面を刻んで文字を生成)なので、捺印を消して贋作(偽物)を作れないと言われましたが、それを克服した技術が生まれています。

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(各製造工程の要素技術:ワイヤーボンディング編)

半導体後工程の中で最も派手で映像によく出る工程がワイヤーボンディングです。ニュースなどの背景で多くの方が目にしたことがあると思います。それだけ動きのある工程です。(いわゆる映える工程ですね) ワイヤーボンディング方法 ワイヤーボンディングの方法は3つありますが、実際に量産に使われているのは2種類と思います。

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(そもそもパッケージって何の為?)

今回は、特別編として根本的な半導体のパッケージの目的についてです。 半導体の回路が形成されたシリコンチップは ・単結晶シリコンでできたウェーハの表面層には配線やトランジスタがいくら多層化されても100μmくらいの厚さはないものが形成されている。 ・チップ上の端子(ボンディングパッド)のサイズは大きくても200μm X 200μmと平均的な髪の毛の断面(直径、約300μm)よりも小さい 。また端子間ピッチは100μmピッチって狭い。(もっと狭いものもある) ・シリコンは

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なるべくやさしく解説・半導体後工程技術(パッケージ分類編:SMD編)

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