東京エレクトロンの新技術

東京エレクトロンは、EUV露光による極微細パターニング工程向けの新しいガスクラスタービーム装置「Acrevia™」の販売を開始しました。この装置は、線幅の加工と形状の補正を行うためにガスクラスタービーム（GCB）技術を使用しており、低ダメージでの加工を実現することができます。これにより、デバイスの微細化と歩留まりの向上、さらにEUVパターニング工程のコスト削減に貢献します。
Acrevia™は、EUV露光後のエッチング処理されたパターンに対して、任意の角度から直進性を持ったビームを照射し、極微細な線幅加工と形状補正を行います。また、東京エレクトロンの独自のソフトウェア技術であるLSP (Location Specific Processing) を用いて、ウェーハ面内でビーム照射点をスキャンし、精密な加工制御を可能にします。これにより、パターン側壁の荒れ（LER: Line Edge Roughness）を改善し、露光工程の最適化と欠陥の低減を実現し、歩留まりの低下を防ぎます。
東京エレクトロンのDSS BUGM部門の石田寛氏は、Acrevia™が高エッチレートと低ダメージのパターン加工を可能にし、ますます高まる最先端パターニングの難度に対応し、さらなる微細化と生産性の最大化を実現すると述べています。そして、顧客の期待を超える技術開発を進め、デバイスの進化に貢献するとのことです。
ガスクラスタービーム技術は、ガス分子を結合させてクラスター化し、高いエネルギーを持ちながら表面のダメージを抑えて処理する技術です。Acrevia™は、東京エレクトロングループの日本およびその他の国における登録商標または商標です。この技術により、半導体製造業界における微細化の進展とコスト削減が期待されています。
参照1）
EUV露光とは、極端紫外線（Extreme Ultraviolet：EUV）を用いた半導体露光技術のことです。波長が13.5nmのEUVを使用することで、シリコンウェーハ上に非常に微細な回路パターンを転写することが可能になります

EUV露光技術の特徴:
高い解像度: 従来の露光技術では波長が長いため解像度に限界がありましたが、EUV技術はこれを克服し、微細化の限界を大幅に拡張します。
微細加工の進展: スマートフォンや自動運転、スマートシティ、遠隔医療など、膨大なデータが必要な5G/IoT技術への対応が可能になります。
技術的難易度: EUV露光は技術的に非常に高度であり、装置や部材を供給できる企業、チップ製造に利用できる半導体メーカーも限られています。
EUV露光技術は、半導体の微細化に不可欠であり、現代社会のデジタル化を支える重要な技術となっています

参照2）
東京エレクトロンは、半導体製造装置の分野で高い技術力を持つ企業として知られています。彼らの技術は、半導体の高性能化に不可欠で、ミクロンからナノレベルの電子回路のパターンを形成するための4つの工程を網羅する製品群を有しています
主要な技術分野:
EUVリソグラフィ: 極微細加工を支える技術で、次世代半導体微細加工に不可欠です

歩留まり向上技術: 装置内でのナノサイズのパーティクル発生との闘いを通じて、歩留まりを向上させます
半導体製造装置とデータ活用: 半導体製造装置の歴史と共に発展してきたデータ活用技術です

パターニング技術: 微細化への取り組みで、半導体製造プロセスの精度を高めます2。
環境への取り組み:
東京エレクトロンは、製造プロセスの環境負荷を低減する技術開発にも注力しており、エネルギー消費の削減、廃棄物の最小化、および有害物質の使用削減を目指しています
最新の技術開発:
最近では、EUV露光による極微細パターニング工程向けの新しいガスクラスタービーム装置「Acrevia™」を発売しました。この装置は、低ダメージでの加工を実現し、微細化と歩留まりの向上に貢献しています
東京エレクトロンの技術は、半導体業界の進歩に大きく貢献しており、その革新的な製品とサービスは、世界中の多くの半導体メーカーに採用されています。彼らの技術力と開発戦略は、半導体の技術トレンドをわかりやすく紹介しており、今後も業界の発展を牽引していくことが期待されます

参照3）EUVリソグラフィは、半導体の微細化を進める上で重要な技術で、極端紫外線（Extreme Ultraviolet：EUV）を用いた露光技術です。この技術は、波長が13.5nmのEUVを使用し、シリコンウェーハ上に非常に微細な回路パターンを転写することが可能です1。
EUVリソグラフィの主な特徴:
高解像度: EUVリソグラフィは、従来の光源よりもはるかに短い波長を使用するため、より高い解像度でのパターニングが可能です。
微細加工の進展: この技術により、7nm以下の微細な回路パターンの形成が可能となり、次世代の半導体チップの製造に不可欠です。
技術的難易度: EUVリソグラフィは技術的に非常に高度であり、装置や部材を供給できる企業、チップ製造に利用できる半導体メーカーも限られています。
EUVリソグラフィの課題:
光源の強化: EUV光はレンズをほとんど通過できないため、反射型の光学システムを構築する必要があります。また、EUV光は空気中の気体微粒子による干渉を受けるため、装置内を真空に保つ必要があります。
レジスト材料の開発: EUVに反応するレジスト材料の開発が必要であり、これは微細なパターンをナノメートルの精度で投影できる反射型システムの構築にも関連しています。
EUVリソグラフィは、半導体の性能向上には回路の「微細化」が最も重要であり、この技術が半導体微細化の未来を主導するとされています。現在、この技術はASMLによって市場で圧倒的なシェアを持っており、その技術と経営戦略が半導体微細化をリードしています。また、日本の装置・部材メーカーもEUVリソグラフィの進展において重要な役割を果たしています
参照4）エレクトロンは、半導体の高性能化に必要不可欠なミクロンからナノレベルの電子回路のパターンを形成するための4つの工程を網羅する製品群を有しています。これらの工程は、以下のように分類されます：
塗布現像（Coating and Developing）
ガスケミカルエッチング（Gas Chemical Etching）
拡散炉（Diffusion Furnace）
バッチ成膜（Batch Film Formation）
これらの工程は、半導体製造装置の中でも特に重要であり、東京エレクトロンはこれらの分野で世界シェアを誇っています。また、これらの技術を通じて、半導体の大容量化、高速化、高信頼性の進化を実現し、同時に環境負荷低減のための低消費電力化も目指しています