SKグループの経営戦略、半導体サイクル、

SKグループの経営戦略に関する情報を箇条書きでまとめました：
チェ・テウォン会長は、グループ全体のバリューチェーンを整備し、グリーン、化学、バイオ産業を質的成長に転換するよう指示。

AI、エネルギーソリューションなどの成長産業を中心に体質変化を図る。

2026年までに80兆ウォンの資金を確保し、SKハイニックスには2028年までに103兆ウォンを投資する計画。

アメリカ出張中のチェ会長は、「経営戦略会議」にビデオで参加し、先制的かつ根本的な変化の必要性を強調。

AIバリューチェーンリーダーシップの強化と、エネルギーソリューション分野の成長機会の確保を予測。

CEOたちには、市場の変化と技術競争力を考慮した質的成長の追求を訴える。

SKの最高経営陣は、バリューチェーンの再整備などのタスクフォース活動の結果を共有し、具体的な実行計画を推進する方針。

2026年までに80兆ウォンの資金を確保し、AI・半導体などの未来成長分野への投資や株主還元に活用することで意見一致。

3年以内に30兆ウォンのフリーキャッシュフローを生み出し、負債比率を100％以下に管理する目標。

SKハイニックスは、2028年までの5年間に合計103兆ウォンを投資し、HBMなどAI関連事業分野に約80％を投資する計画。

SKテレコム、SKブロードバンドは、AIデータセンター事業に5年間で3.4兆ウォンを投入。
スペックス追求協議会に「半導体委員会」を新設し、クァク・ノジョンSKハイニックス社長を委員長に任命。

SKMSとスペックス追求精神の回復と実践が重要との認識を共有し、基本に戻る精神で団結する必要性を強調。
これらの点が、SKグループの現在および将来の経営戦略の要点です

半導体サイクルは、半導体産業の需要と供給が約3〜4年周期で上下する現象を指します。このサイクルは以下のような流れをたどります

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上昇期：新技術の導入や経済活動の拡大により、半導体の需要と生産が拡大します。

頂点期：市場の需要がピークに達し、半導体の価格も高騰します。好況期には供給不足を解消するために大規模な設備投資が行われますが、これらの投資はすぐに成果につながるわけではありません。

下降期：市場の飽和や技術の成熟により、在庫が増加し始め、価格が下落します。

底期：需要が低迷し、市場が調整局面に入り、半導体メーカーは生産を抑制します。

2022年後半には、コロナ特需の反動により半導体需要が鈍化し、メーカー側の設備投資による生産能力の向上が供給過剰を招き、シリコンサイクルは不況期に入りました1。しかし、2023年通年の世界半導体売上高は前年比8.2％減の5,268億ドルに減少したものの、月次の推移を見ると、売上高は2023年3月を底に回復を始め、11月には前年同月比5.3％増とプラスに転じています
現在の半導体市場は、2023年後半から新たな上向きサイクルが始まったとされ、この上昇局面は2025年前半まで続く可能性があると見られています。株価の動向に関しては、多くの半導体関連銘柄が2022年10月に底打ち反転し、上昇トレンドが継続しています。しかし、需要のピークに近づくと株価は下落を始める傾向があります。逆に、業績が悪化して底打ちを確認すると株価は反転上昇することが一般的です。
半導体市場は、生成AI（人工知能）ブームの恩恵を受けやすいロジック半導体（GPU等）が急増したほか、メモリ（DRAM、NAND等）やMOSマイクロ（MPU、MCU）の需要も回復に転じています。2024年は前年比13.1％増の大幅なプラス成長となり、5,883億ドルに達すると予測されています

株価のピークについては、2024年10月頃と予測されており、業績回復が遅れている半導体株が少なくなってきていることから、半導体全体の需要のピークが近づいていると考えられます。

具体的には、好決算発表後に株価が上昇し、その後数週間で元に戻る動きが見られた場合、株価のピークが近いと判断できます。
また、株価のピーク時には各証券会社が業績の好調さを理由にレーティングの引き上げを行うことがあります。今年の11月には大統領選挙が控えており、政策によっては半導体の輸出規制などが懸念され、株価は下落しやすいと予想されます。
現在、日本の半導体株が下落している一方で、米国の半導体株が好調です。株価が下落する際は、日米の半導体株が一斉に下落する傾向があります。
信越化学工業の株価チャートとマイクロンの株価チャートは、シリコンサイクルの影響を受けやすいとされており、これらのチャートは半導体市場の動向を理解する上で重要な指標となります。
２年（週足）

SKハイニックスは、2026年までに80兆ウォンの資金を確保し、2028年までの5年間に合計103兆ウォンを投資する計画を立てています。この投資の約80％は、AI関連事業分野に充てられる予定です
具体的には、以下のような投資が行われる見込みです：

HBM4と1γ世代のDRAM：SKハイニックスは、EUV（極端紫外線）リソグラフィ技術を適用したレイヤーを増大させることで、次世代のHBM4や1γ世代のDRAMの開発に注力しています。これにより、AIアプリケーションに必要な高性能メモリの供給を目指しています
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HBM4：HBM4は、高帯域幅メモリの新しい世代であり、AIや高性能コンピューティング（HPC）の分野でのデータ処理速度と効率性を大幅に向上させることが期待されています。HBM4は、前世代のHBM3と比較してさらに高い帯域幅と容量を提供し、AIモデルのトレーニングやビッグデータ解析などの複雑な計算を効率的に行うことができます。

1γ世代のDRAM：1γ世代のDRAMは、EUVリソグラフィ技術を用いた製造プロセスにより、より小さなフィーチャーサイズと高密度の集積回路を実現します。これにより、メモリの性能が向上し、AIアプリケーションに適した高速で大容量のメモリが供給されることになります
EUVリソグラフィ技術は、極端紫外線を使用して半導体ウェーハー上に微細な回路パターンを描く技術であり、従来の光リソグラフィよりもはるかに精密なパターンを形成することが可能です。この技術の進歩により、1γ世代のDRAMでは、より小さなトランジスタを密集させることができ、結果としてメモリの性能と容量が向上します。

TCボンダーの大量発注：HBMの生産にはウェハとダイの接続を行うTC（Thermo-Compression）ボンダーが必要で、SKハイニックスはこれを大量に発注しています。これにより、HBMの量産体制を強化し、AI半導体市場での競争力を高めることができます

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HBMの量産体制強化：HBM（High Bandwidth Memory）は、AIアプリケーションに必要な高性能メモリであり、その生産には精密なウェハとダイの接続が求められます。TCボンダーの大量発注により、SKハイニックスはHBMの量産体制を強化し、需要に迅速に対応できるようになります

AI半導体市場での競争力向上：AI技術の進展に伴い、高性能メモリの需要が増加しています。TCボンダーを用いたHBMの生産能力の拡大は、SKハイニックスがAI半導体市場での競争力を高めるための重要なステップです

技術革新への対応：新しい世代のHBMでは、より高い帯域幅と容量が求められます。TCボンダーは、これらの技術要求に対応するためのキーとなる装置であり、SKハイニックスは最新の技術トレンドに合わせて設備を更新しています
このように、TCボンダーの大量発注は、SKハイニックスがAI半導体市場でのリーダーシップを確立し、将来の成長を見据えた戦略的な投資と言えるでしょう。

NANDの高層化とQLC：NANDフラッシュメモリにおいては、さらなる高層化が進められています。QLC（Quad-Level Cell）技術を用いることで、1セルあたり4ビットのデータを格納し、より高密度なメモリ製品を実現することが目指されています。

NANDフラッシュメモリとは、電源がなくてもデータを保持できる不揮発性の半導体メモリの一種です。以下にその特徴をまとめます：
不揮発性：電源が切れても情報を保持することができます
高速な書き込みと消去：データの書き込みや消去が高速で行えます
大容量化：回路規模が小さく、コンパクトで安価に大容量化が可能です
主な用途：USBメモリ、SDカード、SSDなどのデータストレージに広く使用されています
市場規模：市場で大きなシェアを占めており、3D NANDなどの次世代メモリ技術が注目されています
NANDフラッシュメモリは、その高速性と大容量性により、デジタルデータの保存に最適なメモリとして広く普及しています。特に、スマートフォンやPC、デジタルカメラなどの記憶媒体として、またクラウドストレージやIoTデバイスなどの分野でも重要な役割を果たしています

極低温エッチング（半導体製造プロセスにおいて、ウェハー表面の不要な部分を取り除き、必要な回路パターンを形成するための技術）装置の大量発注：3D NANDフラッシュメモリの製造には、極低温でのエッチングプロセスが必要です。SKハイニックスは、このプロセスに対応するエッチング装置を大量に東京エレクトロンに発注し、メモリチャネルホールの形成などの高度な製造技術を実現することを目指しています。

3DNANDフラッシュメモリの製造において極低温でのエッチングプロセスが必要な理由は、非常に精密で複雑なメモリチャネルホールを形成するためです。このプロセスは、クライオエッチングとも呼ばれ、絶縁膜のエッチング速度を大幅に向上させる新しい技術です
具体的には、極低温エッチングプロセスでは、従来のエッチング技術では実用化されていなかった低温領域で作業を行います。これにより、高アスペクト比の深いメモリチャネルホールを、短時間で加工することが可能になります。例えば、東京エレクトロンは、10μmの深さで400層を超える3D NAND向けに、地球温暖化係数を84%削減しながら、33分という短時間でエッチングする技術を開発しました
この技術は、大容量の3D NANDフラッシュメモリの製造において、より多くのメモリ層を積層することを可能にし、メモリ容量の増加に貢献します。また、環境への影響も考慮されており、温室効果ガスの削減にも繋がる革新的な技術と言えるでしょう

これらの投資は、AI時代の到来に伴う半導体市場の需要増加に対応し、SKハイニックスの技術革新と市場リーダーシップを強化するためのものです。特に、AIアプリケーションに適した高性能メモリの開発と量産体制の構築が重要な焦点となっています。