安全なメモリーバックアップの作り方（接続編）

注意事項
・安全なメモリーバックアップの作り方
（理論編その１）
(理論編その２）
（回路＆接続方法の理論編）
　を必ずお読みください。
・１２Ｖ車のみで考えてます。
・言葉の意味などが理解できない方はの自作は
　やめたほうが良いと思います。（電気は危険
　ですよ）
　
１０．実際の作業手順と注意点
　実際の作業順番についてはいろいろなサイト
　で記載されていたりYOUTUBEにも上がっている
　のでそちらを見られてもという気もしますが、
　一応記載してみる。
　
　順番を書く前に略語を規定します、。
　Ｍ＋：メモリーバックアップのプラス側
　Ｍ－：メモリーバックアップのマイナス側
　ＢＡＴ：車のバッテリー
　Ｂ＋：車のバッテリーのプラス側
　Ｂ－：車のバッテリーのマイナス側
　ＢＴ＋：車のバッテリーターミナルのプラス
　　　　　側
　ＢＴ－：車のバッテリーのターミナルのマイ
　　　　　ナス側
　　　　　
　事前準備
　・エンジンがオフになっている事を確認
　・ルームランプ等エンジンオフでも電気が流
　　れる部品がオフなっている事を確認。
　・ＢＴ＋をＢＡＴから外した際にボディショ
　　ートしないように絶縁してよける場所、囲
　　い等を準備する。
　・衣服、作業手袋などは非導電性である事を
　　確認してください。足元等濡れてなく、作
　　業を行う周りに導電性のものがないか確認
　　してください。
　・工具を使う際にショートしないように細心
　　の注意をして作業を行ってください。
　
　作業
　１・ＢＡＴをホールドしているナット類を外
　　　す。
　２・Ｍ＋をＢＴ＋に接続
　３・Ｍ－をＢＴ－に接続
　４・ＢＴ＋をＢＡＴから取り外す
　　＊くれぐれもボディーやその他の箇所と直
　　　接接触しないようにする。Ｍ＋がＢＴ＋
　　　から外れないように注意する。
　５・ＢＴ－をＢＡＴから取り外す。
　　　Ｍ－がＢＴ－から外れないように注意す
　　　る。
　６・車体についている古いＢＡＴを取り外す。
　７・車体に新品ＢＡＴを取り付ける。
　８・ＢＴ＋をＢＡＴに取り付ける。
　９・ＢＴ－をＢＡＴに取り付ける。
　１０・ＭーをＢＴ－から取り外す。
　１１・Ｍ＋をＢＴ＋から取り外す。
　１２・ＢＡＴをホールドするナット類を取り
　　　　付ける。
　　
１１.回路の部品の選定
　回路４で検討したＺｅｎｎｅｒ　Ｄｉｏｄｅ
　入りで作ってみる事とした。
　部品について
　Ｚｅｎｎｅｒ　Ｄｉｏｄｅ　（主要仕様）
　　部品番号　１Ｎ５２５０Ｂ
　　２０Ｖ耐圧、消費電力５００ｍＷ（Ｍａｘ）
　　逆方向漏れ電流１００ｎＡ＠１５Ｖ
　抵抗　１ｋΩカーボン抵抗（主要仕様）
　　部品番号　GB-CFR-1/2W-102　
　　定格電力　０．５Ｗ
　選定理由
　　２０Ｖ耐圧のＺｅｎｎｅｒ　Ｄｉｏｄｅを選
　　定した理由は車両のオフ時に高いバッテリー
　　電圧になる事はないと推定し２０Ｖ以上の瞬
　　間サージ対策を行う事を想定した。逆方向漏
　　れ電流が１００ｎＡ＠１５Ｖでありメモリー
　　バックアップの電圧が１４．０Ｖ程度と想定
　　されるためＺｅｎｎｅｒの特性からｎＡ単位
　　で２桁の以下の漏れ電流となる事が予測でき
　　１Ｎ５２５０Ｂの部品を選定した。
　　Ｚｅｎｎｅｒの最大消費電力は５００ｍＷで
　　ある事及び耐圧２０Ｖから
　　　５００ｍＷ＝消費電流×２０Ｖ（耐圧）
　　　より消費電流は０．０２５Ａ（２５ｍＡ）
　　　そうすると
　　　２０Ｖ÷０．０２５Ａ＝８００Ω
　　　となり抵抗としては８００Ω以上あれば
　　　よい事となる。
　　　抵抗としてよく使用される１ｋΩを使う
　　　事とした
　　　理論の確認としては
　　　２０Ｖ÷１ｋΩ＝０．０２Ａ
　　　０．０２Ａ×２０Ｖ＝０．４Ｗとなる。
　　　抵抗は１／２Ｗ定格（０．５Ｗ）を使用し
　　　Ｚｅｎｎｅｒも最大電流５００ｍＷである
　　　事から部品の許容量を超えない設定が可能
　　　となった
　Ｆｕｓｅについては５００ｍＡ～１Ａ程度を選
　定予定。車両の電源オフ時の暗電流が多くない
　と想定される事とできるだけ早く保護回路を動
　作させるためできるだけ小さいＦｕｓｅにした
　と考えている。

次回　実際に作ってみる。
　　　部品が手元になかったので発注中。
　　　
　　　自作ホットイナズマ作った残りの在庫があ
　　　ったはずなのだか・・見当たらず・・。
　　　近いうちにホットイナズマ（電気でパワー
　　　は上がるのか？）についても考えてみよう。