こんにちは。アリッシアです。 大学院外部受験をして、無事に旧帝大に合格しました。 受験中は常に不安でいっぱいでした。 というのも、内部生がいる中で外部生の枠があるのか？ あったとしても、他の優秀な外部生に取られてしまうのではないか？ TOEICの点数も旧帝院に挑戦するほどではなかったです。 周りは700点後半、800点を取っている（Noteやブログ）中で自分は650点。 さらに、専門科目も毎回計算ミスや最後まで解き切ることができないので、不安が膨れ上がるばかりでした。
大学院には、筆記試験と筆記免除（推薦）があります。 内部生は推薦がおすすめですが、外部生の推薦はデメリットしかありません。 本記事では、大学院受験で外部生が 筆記試験を選ぶべき理由をまとめています。 外部生向け推薦枠の限界募集枠が少なく、競争が激しい GPA 3.4~3.5以上、TOEIC 800点以上が実質的な基準 筆記試験のメリット受け入れ枠が広い 複数の研究室を志望可能 面接は比較的簡単（顔合わせ程度） 推薦枠のデメリット第1志望の研究室のみ受験可能 面
ときどき、ブログの方にアクセスできなくなることがある。 キャッシュがたまりすぎているので、管理画面から対処する必要がある。 ConoHaの場合は、 サイト管理＞高速化＞キャッシュ＞クリア これによりアクセスが可能になる。
アリッシアです。 外部受験で旧帝大の大学院（電気電子情報学科）に合格した経験をもとに、大学院受験のコツをお伝えします。 大学院進学を希望している人は参考にしてみてください。 私のプロフィール出身：普通科高校 → 地方国立大学 TOEIC：650点（提出時） GPA：2.9弱 資格：電験3種 なぜ外部大学院を選んだか？研究への強い意欲 学生生活をもう少し楽しみたい 理系大手企業への就職チャンス 都会での生活への憧れ 自大学にない研究分野への興味 大学院受験
電力増幅には、A級,B級などが存在し、スピーカを鳴らすときなどに使用される。 他のトランジスタ回路の場合、線形性を前提として等価回路を作図してきた。 しかし、電圧・電流の変化量が大きいため特性曲線で解析をする。 トランジスタに$${I_C}$$を流すと、コレクタ損失$${P_C=I_C \times V_{CE}}$$で表される。 動作範囲は、安全領域にあり、$${P_C}$$の最大値は放熱板で熱を発散させることができる。 電力増幅回路は、効率がよく、出力にひずみが少な
電圧ホロワ回路は、高い入力インピーダンスと低い出力インピーダンスを持つ増幅度1の増幅回路。 エミッタホロワ回路トランジスタ回路のコレクタ接地。 エミッタ接地回路と比較して、 コレクタに接続した抵抗$${R_c}$$を短絡し、出力の点を変えている。 $${v_i=h_{ie}i_B+R_E(i_B+i_c)}$$ $${v_o=R_E(i_B+i_c)}$$ $${A_{vf}=\displaystyle \frac{R_E(1+h_{fe})}{h_{ie}+R_E(
雑音や入力変動の影響を受けにくい増幅回路。 オペアンプは、差動増幅回路の基本としている。 特徴図に示すようにトランジスタと電源が２つ使用している。 $${R_1=R_2}$$であれば、流れるコレクタ電流、電圧は同値であるから、$${v_o=0}$$ $${i_{b1}=\displaystyle \frac{v_{b1}-i_eR_3}{h_{ie}}}$$ $${i_{b2}=\displaystyle \frac{v_{b2}-i_eR_3}{h_{ie}}}$$
工学系の微分方程式の解法を示す。 教科書・参考書には公式として紹介されていて、 訳が分からない問題が多すぎる。 $${y=\displaystyle \int_{}^{} e^{\displaystyle \int p(x) dx} dx}$$ これらすべてを覚えるより、手順を理解することを目的とする。 変数分離$${\displaystyle\frac{1}{Y(x)}y'=X(x)}$$に変形する。 $${\displaystyle\frac{1}{y}\disp
TOEICの点数が700点あれば安全。 このように巷では言われている。 TOEICの600点と700点の差も 満点を100点としている大学院が多く、得点差は約10.1点（満点から比例分配した場合。） TOEICのスコアよりも計算ミスしないことが大切である。 不定積分得た数式を微分する。 線形代数（対角化）固有多項式→固有ベクトル→対角化 固有多項式から固有値を求めるが、 出した固有値を固有多項式に代入して$${=0}$$ となれば、計算ミスはしていない。 対角化を
入力ミスや履歴が多くなった場合に 履歴は保持するけれど、画面上から削除する。 cls ３文字入力し実行すると、完了。
コマンドプロンプトを立ち上げると、 Cドライブが開かれます。 DドライブやFドライブを使いたい場合、 C:User> cd F これでは、移動できません。 正しくは、「ドライブ名：」でできます。 C:User> F:
基本的には、トランジスタの増幅回路と同じ。 FET増幅回路は、入力インピーダンスが大きく、 ゲート端子には電流が流れない。 FETの3変数・ドレーン抵抗（ドレーン・ソース間抵抗） $${r_d=(\displaystyle \frac{ \Delta V_{DS}}{\Delta I_D})}$$ このとき、$${V_{GS}}$$=一定。 ・相互インダクタンス $${g_m=(\displaystyle \frac{ \Delta I_{D}}{\Delta V_
ハミング距離ハミング距離は、二つの系列の違いを数値で表す手段。 これを代数的に捉える。 長さ$${n}$$の二つの系列 $${a=\{a_1,a_2 \cdot \cdot \cdot ,a_n\}}$$ $${b=\{b_1,b_2 \cdot \cdot \cdot ,b_n\}}$$ について考える。 $${a,b}$$に互いに対応する位置にあるシンボルで異なるものがハミング距離である。 $${d_H(a,b)=\displaystyle \sum_{i=1}
トランジスタの機能は、増幅・スイッチングがある。 試験では、特に増幅の特性に関する問題が出題されるので、確認をする。 トランジスタの接地接地（GND）によって、エミッタ接地、コレクタ接地（エミッタホロワ）など名称がある。 エミッタ接地は電流・電圧・電力増幅を大きくさせて、 入出力抵抗が普通の大きさになる。 その他は、ほぼ１。逆に増幅が小さくなる時がある。 実用性と試験の出やすさは、エミッタ接地トランジスタである。 バイアス回路トランジスタのベース-エミッタ間の電圧$$
相互情報量相互情報量$${I(X;Y)}$$は、X とYの「依存度」を表す指標である。 $${I(X;Y)=H(X)-H(X|Y)=H(Y)-H(Y|X)=H(X)+H(Y)-H(X,Y)}$$ 関係性を図示すると、以下のようになる。 $${I(X;Y)=H(Y)-H(Y|X)}$$から、 $${H(Y)=H(Y|X)}$$で$${I(X;Y)=0 (\min)}$$ $${H(Y|X)=0}$$で$${I(X;Y)=\max}$$ $${p=0,1}$$で$${I(X
符号化あるアルファベットに属するシンボル系列から別のアルファベットに属するシンボル系列への写像を符号、変換操作を符号化という。 また、符号化により得られる系列を符号語という。 情報工学では、符号アルファベット$${X}$$にて、$${X}$$に属する符号シンボル$${\{0,1\}}$$の2元符号を扱う。 クラフトの不等式復号で最優先するべきことは、瞬時復号可能。 次に通信の観点から符号長が短いこと 情報シンボル$${s_1,s_2…s_J}$$の$${r}$$元符号
