関税率表　第85類注9

第 85 類　電気機器及びその部分品並びに録音機、音声再生機並びにテレビジョンの映像及び音声の記録用又は再生用の機器並びにこれらの部分品及び附属品

注

９　第 85.41 項及び第 85.42 項において次の用語の意義は、それぞれ次に定めるところによる。
（ａ）「ダイオード、トランジスターその他これらに類する半導体デバイス」とは、その働きが電界の作用に基づく抵抗率の変動により行われる半導体デバイスをいう。
（ｂ）「集積回路」とは、次の物品をいう。
（ⅰ）モノリシック集積回路（半導体材料又は化合物半導体材料（例えば、ドープ処理したけい素、ガリウム－砒（ひ）素、シリコン－ゲルマニウム、インジウム－りん等）の基本的には内部に又は当該材料の表面に、回路素子（ダイオード、トランジスター、抵抗器、コンデンサー、インダクター等）を生成させ、かつ、不可分の状態にした回路）
（ⅱ）ハイブリッド集積回路（単一の絶縁基板（ガラス製のもの、陶磁製のもの等）上に、受動素子（薄膜技術又は厚膜技術によって作られた抵抗器、コンデンサー、インダクター等） と能動素子（半導体技術によって作られたダイオード、トランジスター、モノリシック集積回路等）とを、相互接続子又は接続ケーブルによって、実用上不可分の状態に組み合わせた回路）。この回路には、個別部品を取り付けたものを含む。
（ⅲ）マルチチップ集積回路（２以上の相互に接続したモノリシック集積回路が、実用上不可分な状態に組み合わされた回路。絶縁基板が１以上であるかないか、また、リードフレームがあるかないかを問わないものとし、その他の能動または受動回路素子を含まない。）
（ⅳ）マルチコンポーネント集積回路（MCO）（一以上のモノリシック集積回路、ハイブリッド集積回路又はマルチチップ集積回路と、少なくとも一のコンポーネント（シリコンベースセンサー、シリコンベースアクチュエーター、シリコンベースオシレーター、シリコンベースレゾネーター若しくはこれらを組み合わせたもの、第 85.32 項、第 85.33 項若しくは第 85.41 項に属する物品の機能を有するコンポーネント又は第 85.04 項に属するインダク
ター）とを結合した回路で、ピン、リード、ボール、ランド、バンプ又はパッドを通して、印刷回路基板（PCB）その他のキャリア上への組立てに使用する種類の部品として、集積回路と同様に実用上不可分の状態に一体化されているもの）
　この定義において次の用語の意義は、それぞれ次に定めるところによる。
１ 「コンポーネント」は、個別部品であるか、独立して製造された後に MCO の土台の上に組み立てられているか又は他のコンポーネントに組み込まれているかを問わない。
２ 「シリコンベース」とは、シリコン基板上に形成され、シリコン材料で作られ又は集積回路ダイの上に製造されていることをいう。
３（ａ）「シリコンベースセンサー」は、半導体の内部又は表面に生成させたマイクロ電子構造体又は機械構造体から成り、電気特性の変化又は機械構造体の変位によって生ずる物理量又は化学量を検出し、これらを電気信号に変換する機能を有するものである。「物理量又は化学量」は、圧力、音波、加速度、振動、移動、方向、歪（ひず）み、磁界強度、電界強度、光、放射能、湿度、フロー、化学物質濃度等の実世界の現象に関連する。
（ｂ）「シリコンベースアクチュエーター」は、半導体の内部又は表面に生成させたマイクロ電子構造体又は機械構造体から成り、電気信号を物理的な動きに変換する機能を有するものである。
（ｃ）「シリコンベースレゾネーター」は、半導体の内部又は表面に生成させたマイクロ電子構造体又は機械構造体から成り、外部入力に応じて、これらの構造体の物理的形状に依存するあらかじめ設定した周波数の機械的又は電気的な振動を発生する機能を有するコンポーネントである。
（ｄ）「シリコンベースオシレーター」は、半導体の内部又は表面に生成させたマイクロ電子構造体又は機械構造体から成り、これらの構造体の物理的形状に依存するあらかじめ設定した周波数の機械的又は電気的な振動を発生する機能を有する能動コンポーネントである。
　この注９の物品の所属の決定に当たっては、第 85.41 項及び第 85.42 項は、第 85.23 項を除き、当該物品が特にその機能からみて属するとみられるこの表の他のいずれの項にも優先する。