関税率表　第84.86項

第 84 類　原子炉、ボイラー及び機械類並びにこれらの部分品

　この項には、半導体ボール、半導体ウエハー、半導体デバイス、集積回路又はフラットパネルディスプレイの製造に専ら又は主として使用する種類の機器を含む。ただし、この項には測定機器、検査機器、化学分析用の機器等を含まない（90 類）。

（Ａ）半導体ボール又は半導体ウエハーの製造用の機器 

　このグループは、次のような、半導体ボール又は半導体ウエハーの製造用の機器を含む。
（１）シリコンロッドをゾーンメルティングにより精錬するための部分溶融炉（One-melt furnaces）、ウエハー表面の酸化のための酸化炉（oxidation furnaces）及び不純物をウエハーに添加するための拡散炉（diffusion furnaces）。
（２）結晶引上装置（Crystal growers and pullers）：切断しウエハーにするための高純度の単結晶半導体ボールの製造に使用する。
（３）結晶研削機（Crystal grinders）：結晶ボールをウエハーにするため正確な直径に研削し、かつ、結晶の伝導性と抵抗率を示すようボールの表面を研削する。
（４）ウエハー切断装置（Wafer slicing saws）：単結晶半導体材料のボールをウエハーに切断する。
（５）ウエハー研削機（Wafer grinders）、ラッピング装置（lappers）及び研磨機：拡散工程に向け、半導体ウエハーを調整する。これは、寸法の許容範囲内にウエハーを成形することを含む。特に表面の平坦さを重視する。
（６）化学的機械的研磨装置（Chemical mechanical polishers （CMP））：この装置は、機械的に磨くことと化学的な除去の両方を利用し、ウエハーを平坦にし、研磨する。

（Ｂ）半導体デバイス又は集積回路製造用の機器 

　このグループは、次のような、半導体デバイス又は集積回路製造用の機器を含む。
（１）薄膜形成装置（Film formation equipment）：拡散工程の間、ウエハー表面に各種の薄膜を塗布又は形成する。これらの薄膜は、完成したデバイス上の導体、絶縁体及び半導体として機能する。これらの薄膜には、基板表面の酸化物及び窒化物、金属並びにエピタキシャル層を含む。この工程と、次に挙げられる機器は、特定の種類の薄膜の形成に限定されるべきも
のでないものがある。
（ａ）酸化炉（Oxidation furnaces）：ウエハー上に酸化物の「薄膜」を形成する。酸化薄膜は、高温下で酸素又は水蒸気によりウエハーの最上部の分子層と化学反応させて形成する。
（ｂ）化学的気相成長装置（Chemical Vapour Deposition (CVD） equipment）：適切な組成の気体を、温度管理された反応炉で晒すことにより、各種の薄膜を蒸着する。これは、熱化学気相反応を生成する。これらの操作は、大気圧又は低圧で行うこと（減圧化学的気相成長（LPCVD））や、プラズマによる反応の促進を使用すること（プラズマ化学的気相成長
（PECVD））もある。
（ｃ）物理的気相成長装置（Physical Vapour Deposition (PVD) equipment）：固体を気化し形成する各種の薄膜を蒸着する。例えば、次のようなものがある。
（１）真空蒸着装置（Evaporation equipment）：材料を加熱することにより薄膜を形成する。
（２）スパッタリング装置（Sputtering equipment）：イオンを材料（ターゲット）に衝突させ（材料を）飛散させることにより薄膜を形成する。
（ｄ）分子線エピタキシ装置（Molecular Beam Epitaxy (MBE) equipment）：分子のビームを使用し超高真空下で加熱した単結晶基板上でエピタキシャル層を成長させる。この工程はＰＶＤに類似する。
（２）ドーピング装置：半導体層の伝導性又はその他の性質を修正するため、次のように、不純物をウエハー表面に注入する。
（ａ）熱拡散装置：高温のガスに晒し、ウエハーの表面に不純物を注入する。
（ｂ）イオン打ち込み（Ion Implantation）：加速したイオンビームを用いてウエハー表面の結晶格子構造にドーパントを打ち込む。
（ｃ）焼きなまし炉（Annealing furnaces）：イオン打ち込みにより損傷したウエハーの結晶格子構造を修理する。
（３）エッチング及びレジスト剥離装置（Etching and stripping equipment）：次のように、ウエハー表面のエッチング又は洗浄に使用する。
（ａ）ウェットエッチング装置：吹き付け又は浸漬により化学的エッチング材料を塗布する。
スプレーエッチング装置（吹き付け）は、一のウエハーの作業を一度に行うため、エッチング槽（浸漬）より均一な結果となる。
（ｂ）ドライプラズマエッチング：プラズマエネルギー領域内にエッチング材料をガス状で送り、エッチング材料を異方性のエッチング形状に加工する。ドライエッチング装置（Dry-etchers）は、半導体ウエハーから薄膜材料を除去するガス状プラズマを形成する各種の異なる方法を使用する。
（ｃ）イオンビーム加工装置（Ion beam milling equipment）：ウエハー表面へ、イオン化した気体原子を加速して照射する。その衝撃はウエハー表面の最上層を物理的に除去する。
（ｄ）ストリッパー（Strippers）又はアッシャー（ashers）：エッチングと類似した技術を使用し、「型板」として使った後、不要となったフォトレジストをウエハー表面から除去する。
　この機器は、異方性のエッチング形状から窒化物、酸化物及び多結晶シリコンも除去できる。
（４）リソグラフィ装置：次のように、半導体ウエハーのフォトレジストで被覆された表面に回路図を転写する。 
（ａ）フォトレジストでウエハーを被覆する装置：この装置には、ウエハーの表面に均一に液状のフォトレジストを塗布する回転塗布装置（photoresist spinners）を含む。
（ｂ）回路図をフォトレジストで被覆したウエハーに露光する装置（又は部分品）。
（ⅰ）マスク又はレチクルの使用及び光（通常は紫外線）又はＸ線でのフォトレジストへの照射（露光）。
（ａ）コンタクトプリンター：露光中、マスク又はレチクルはウエハーに接触する。
（ｂ）プロキシミティアライナー：マスク又はレチクルとウエハーの間に実際の接触がないことを除いて、コンタクト・アライナーに類似する。
（ｃ）スキャニングアライナー：マスクとウエハーの隙間を連続して移動しながら露光する投影技術を使用する。
（ｄ）ステップアンドリピートアライナー（Step and repeat aligners）：一度毎にウエハーの一部分を露光する投影技術を使用する。マスクからウエハーに、縮小又は１：１の大きさで露光する。強力なものにはエキシマレーザーを使用するものも含む。
（ⅱ）ウエハー上に直接描画する装置：これらの装置は、マスク又はレチクルなしで作動する。これらは、自動データ処理機械で制御された「ライティングビーム」（例えば、電子ビーム（Ｅビーム）、イオンビーム又はレーザー）を使用し、フォトレジストで被覆したウエハー上に直接回路を描画する。
（５）露光したウエハーを現像する装置：この装置は、写真の現像、焼付けその他の処理で利用するものと同様の化学用の槽を含む。
この項は、また、次のものを含む。
（ⅰ）フォトレジストで基板又はウエハーを回転塗布で覆う遠心機
（ⅱ）エッチレジストインクで絶縁基板に印刷するスクリーンプリンター
（ⅲ）ウエハーをチップに分割するレーザースクライビング機器
（ⅳ）ウエハーダイシングソー

（Ｃ）フラットパネルディスプレイ製造用の機器 

　このグループには、基板のフラットパネルへの組立てを含む。しかしながら、ガラスの製造又は印刷回路基板その他の電子部品のフラットパネル上への組立ては含まない。
　この項は、フラットパネルディスプレイ製造用の次のような機器を含む。
（１）エッチング、現像、剥離又は洗浄用の装置
（２）回路図の投影、描画又はめっき用の装置
（３）遠心式スピンドライヤー又はその他の乾燥装置
（４）写真乳剤で被覆するために設計された機器（スピナー）
（５）ドーピング（不純物注入）用イオン打ち込み機
（６）拡散、酸化、焼きなまし又は急速加熱用の炉及びその他の装置
（７）化学的気相成長（ＣＶＤ）装置及び物理的気相成長（ＰＶＤ）装置
（８）研削及び研磨用の機器
（９）切断加工（sawing, scribing 又は scoring）用の機器 84 類 223

（Ｄ）この類の注９（Ｃ）の機器 

　このグループは、専ら又は主として次に使用する種類の機器を含む。
（１）マスク又はレチクルの製造又は修理（例えば、フォトマスクの露光による加工装置（フォトプロッター）及びマスク又はレチクルの修理のためのイオン加工機器）
（２）半導体デバイス又は集積回路の組立て。例えば、次のようなものがある。
（ａ）レーザー加工機器：完成したモノリシック集積回路又は個別の半導体部品のプラスチックのケーシングを加工する。
（ｂ）封止装置：チップの周囲のプラスチック材料に圧力をかけることによりチップをプラスチックでケーシングする。
（ｃ）ワイヤボンダー：超音波又は電気加圧溶接によりモノリシック集積回路の接点に金線を溶接する。
（ｄ）ウエハーバンピング：ダイシング前に、ウエハー全体に接点を形成する。
（３）ボール、ウエハー、半導体デバイス、集積回路又はフラットパネルディスプレイの持上げ、荷扱い、積込み又は荷卸し（例えば、半導体ウエハー、ウエハーカセット、ウエハーボックスその他の半導体デバイス用の物質の運搬、荷扱い及び保管のためのＡＭＨ（automated material handling）機器）

（Ｅ）部分品及び附属品 

　部分品の所属に関する一般規定（16 部の総説参照）によりその所属を決定する場合を除くほか、この項の機器の部品及び附属品は、この項に属する。したがってこの項に属する部分品及び附属品は、この項の機器に専ら又は主として使用する工作物保持具又はツールホルダーその他の附属品を含む。