ISFETpH計 S2K333 S2K222
ISFETとデバイスマークについて
溶液中で動作することができる半導体デバイス（素子）としてのFETを電子電子回路上で扱う場合、記号が必要になります。弊社が提唱するISFETのデバイスマークを下図に紹介します。FETのゲート絶縁膜とゲート電極の間に電解質溶液を導入した構造になっていますので、左のデバイスマークには「∼」、「≈」、「≋」のような溶液を示す記号が挿入されています。このデバイスマークで一般的なFETデバイスマークと区別します。このマークは、弊社の厳密な「ISFET長期安定性試験」をクリア―したものだけに使用されています。
ISFETの動作原理は、MOSFETの動作と全く同じです。金属ゲート電極の代わりに比較電極と電解溶液を置き換えた構造になっています。ゲート電極として金属では、溶液中で金属表面に電気二重層による容量（C）のため、不安定な電位になってしまいます。そのために、従来の隔膜形の銀―塩化銀比較電極を用いなければなりません。
ISFETの特性保証試験について
弊社のISFETは全て「安定性能テスト」に合格したデバイスです。下図のような加速試験装置で行われます。条件は、照度1200ルックスの蛍光灯照射をオンタイム1時間⇒オフタイム3時間に設定し、これを繰り返します。PH感応膜として合格するISFETの性能は、1200ルックスの照射後のセンサ出力（ΔVgs）値が１ｍV/ｈ以下でなければならない。一例としてドリフト値が大きい不合格ISFETの例を下図にを示します。800ルックスくらいでは大きく破綻しませんが、1200ルックスではその本性が現れます。これは使い物にはなりません。
(a) のISFETでは、1200ルックス照射で出力のドリフトが大きく「増幅」されている。
(b)は、(a)のISFETを800ルックス照射した場合では、「増幅」が小さいので判定は難しい。繰り返し試験した結果、加速試験の条件として有効な照度は1200ルックス以上ででした。
(c)はドリフトがないISFETの場合、極めて安定した特性である。合格品である。
弊社が提唱するISFETの信頼性評価試験の「国際規格」
試験条件 【 照度：1200ルックス】、【照射時間：１時間】
品質合否判定基準：センサ出力変動値（ΔVgs）＜１ｍV/ｈ
「ISFETデバイスマーク」は、このテストをクリアしたISFET製品のみに印されます。弊社のISFET製品は全て、「ISFETデバイスマーク」を付けて提供しています。
１ ISFET ポケットpH計 S2K333
2 ISFET ポケットpH計 S2K222
3 S2K333 S2K222 取扱説明書
お使いになる前に
各部の名称と機能
標準液一点校正
ビーカーを使用した浸漬測定
一滴測定
LCDメッセージ一覧
測定中での注意点
取扱い上の警告
電極の交換
電池の交換
お手入れ方法 Maintainance
仕様一覧
● ２点校正機能の削除のお知らせ
追加機能・２点校正機能削除のおしらせ
● 品質保証書
● 修理・相談窓口について
● pH計点検チェックシート ダウンロード
● 消耗品について
４ 歴代ISFETｐH計モデルの取説のダウンロード
S2K712 USER'S MANUA / S2K712取扱説明書
S2K922取扱説明書
５ 最新Q ＆ A
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