村田製作所やTDKなどのトップ企業が多層インダクタやビーズの価格を引き上げる可能性があると指摘

世界の受動部品大手が価格を20％引き上げ、台湾のサプライチェーンに恩恵
経済日報の報道によると、スマートフォンのピークシーズンの到来、PC市場の回復、そして今年の銀価格の30％以上の急騰により、村田製作所やTDKなどの世界的な大手企業が製品価格を引き上げる計画を立てています。対象製品には多層インダクタやビーズが含まれ、価格引き上げ幅は最大20％に達する可能性があり、受動部品業界では近年まれに見る大幅な値上げとなります。
同報道によると、業界関係者は、1年以上にわたる在庫調整を経て、受動部品セクターの在庫水準が健全なレベルに戻りつつあると指摘しています。これに加えて、顧客が在庫を補充し、伝統的なピークシーズンが近づき、コストの大幅な増加が見られるため、多層インダクタやフェライトビーズなどの製品の価格引き上げの機会が訪れています。
報道によると、銀は多層インダクタやビーズの製造コストの最大60％を占めており、今年の銀価格が一時40％近く急騰し、最近の若干の下落にもかかわらず年初来で35％上昇しているため、これらの部品を大量生産するメーカーは大きなコスト圧力に直面しています。
世界の主要なインダクタメーカーには、日本の村田製作所、TDK、太陽誘電、台湾の国巨（Yageo）や華新科技（Walsin Technology）グループが含まれます。主要なスマートフォンメーカーが年後半に新モデルを発売し、PC市場が回復し、銀価格が上昇する中、業界関係者は、村田製作所やTDKなどのトップ企業が多層インダクタやビーズの価格を引き上げる可能性があると指摘しています。大型製品は最初に10％から20％の価格引き上げが予想されています。
業界関係者はさらに、多層インダクタは磁気シールドを特徴としており、電磁干渉を排除し、回路内の高周波振動を効果的に抑制するため、高密度回路設計に非常に適していると説明しています。サイズに応じて、これらのインダクタは消費者電子機器やサーバーにも広く使用されています。
一方、フェライトビーズはフェライト材料と多層製造プロセスを使用して設計されており、そのインピーダンスは周波数によって変化し、高周波数で高インピーダンスを達成し、優れた高周波フィルタリング特性を提供します。これにより、スマートフォン、タブレット、ノートパソコン、電源などの最終製品に適しており、ノイズ干渉を効果的に抑制します。
報道によると、受動部品メーカーの業績は徐々に回復しており、主要な受動部品メーカーである国巨（Yageo）は、今四半期に顧客の在庫水準が健全になりつつあると楽観的に見ています。同社は稼働率の継続的な向上を期待しており、市場に対して楽観的な見通しを持っています。
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背景）
最近、村田製作所、TDK、太陽誘電、ヤゲオ、ウォルシンなどの主要MLCC（積層セラミックコンデンサ）メーカーが、価格を10-20%引き上げる動きを見せています。この値上げの背景にはいくつかの要因があります。
顧客在庫レベルの健全性: 現在、顧客の在庫レベルが健全であるため、供給側の価格調整が可能です。
材料費の上昇: 特に銀などの材料費が上昇していることが、価格引き上げの一因となっています1。
新製品の需要: 各社のスマートフォン新モデル、PC、民生機器の需要が高まっており、これが値上げのタイミングとして適していると判断されています1。
このような状況下で、MLCCの価格引き上げは市場全体に影響を与える可能性があります

MLCCとは、Multilayer Ceramic Capacitor（積層セラミックコンデンサ）の略称で、電子機器に欠かせない重要な受動部品の一つです。MLCCの主な特徴と構造は以下の通りです：

1. 誘電体セラミックスと電極を交互に多数積層した構造を持ちます

2. 小型で大容量を実現できるため、電子機器の小型化・高機能化に貢献しています

3. ノイズ除去、電源電圧の平滑化、フィルタなど、様々な用途で使用されています

4. スマートフォンには約1300個、電気自動車には約10000個のMLCCが使用されるなど、現代の電子機器に不可欠な部品です

5. 誘電体層と内部電極の薄層化・多層化により、小型化と大容量化が進められています

6. 温度特性や定格電圧などにより、様々な種類が存在します

7. 高速データ通信や低電圧動作など、最新の電子機器の要求に応える重要な役割を果たしています

MLCCは電子機器の性能向上と小型化に大きく貢献しており、今後も技術革新が続けられると予想されます。

MLCCは非常に幅広い応用分野を持つ重要な電子部品です。主な応用分野は以下の通りです：

1. スマートフォン：ハイエンド機種1台あたり約1300個のMLCCが使用されています[2][3]。

2. 自動車：特に電気自動車では1台あたり約10000個のMLCCが搭載されています

3. 情報通信機器：データサーバーや通信基地局などで広く使用されています

4. 家電製品：テレビ、パソコンなどの様々な電子機器に搭載されています

5. 産業機器：各種制御機器や計測機器にも使用されています。

MLCCは、これらの機器においてノイズ除去、電源電圧の平滑化、フィルタリングなどの重要な役割を果たしています。特に5G対応スマートフォンでは、対応周波数帯の増加に伴いMLCCの搭載数が増加しています

また、自動車の電動化や自動運転技術の進展により、車載電子機器におけるMLCCの需要も拡大しています

このように、MLCCは現代のエレクトロニクス産業において不可欠な部品となっており、その応用分野は今後さらに拡大していくと予想されます。

トランプ前大統領は、7月27日にテネシー州ナッシュビルで開催される「ビットコイン2024」カンファレンスでスピーチを行う予定です。この出席は、暗号資産業界にとって重要な意味を持ちます。

トランプ氏は最近、ビットコインに対する姿勢を大きく変え、支持を表明するようになりました。6月にはビットコインマイニング企業の幹部と面談し、ビットコインマイニングを「中央銀行デジタル通貨（CBDC）に対する最後の防衛線」と称し、「残るビットコインをすべて米国製にしたい」と主張しています

このカンファレンスでのスピーチは、トランプ氏の選挙戦略の一環であり、暗号資産が共和党の公式綱領に組み込まれるほど重要な政治的争点になっていることを示しています。暗号資産業界は、規制当局の締め付けに対抗するため、好意的な候補者を支持する動きを強めています

トランプ氏の出席は、暗号資産が政治的に重要性を増していることを象徴しており、業界にとって長年求めてきた正当性の獲得につながる可能性があります。また、このイベントでは約24億円の資金調達も予定されており、暗号資産支持者からの政治的・財政的支援の重要性も示唆しています

サムスン電子が平沢(ピョンテク)4工場(P4)にNANDフラッシュメモリの生産ラインを構築することを決定しました。今月末までに主要設備を搬入する計画で、正式な発注を行ったことが確認されました

これは2023年初頭から続いていた半導体減産体制に終止符を打ち、新規メモリ投資を再開する動きです。サムスン電子は半導体市場が完全な上昇期（アップターン）に転じたと判断したものと見られます[1][3]。

主なポイント：

1. P4に初めて導入される半導体製造ラインとなります。

2. AI サーバー向けの企業用SSD(eSSD)需要増加に対応するための投資です[1][3]。

3. 9世代V-NANDの量産が有力視されており、クアッドレベルセル(QLC)技術を適用する予定です。

4. NANDフラッシュに続いてDRAM生産ラインも構築する方針です[3][4]。

この投資はグローバル半導体市場と業界に少なからぬ影響を与える可能性があります[1][3]。

第9世代V-NANDは、Samsungが開発した最新のフラッシュメモリ技術です。この技術は、従来の平面NANDとは異なり、ストレージセルを垂直に積み重ねることで、より高い密度と性能を実現しています12。
第9世代V-NANDの主な特徴は以下の通りです：
ビット密度の向上：前世代に比べて約50％のビット密度向上を実現1。
読み書き速度の向上：読み書き速度が33％向上し、最大3.2Gbpsをサポートする次世代NANDフラッシュインターフェース「Toggle 5.1」を採用1。
消費電力の削減：前世代比で10％の消費電力削減を達成し、省エネ化や炭素排出量削減に貢献1。
高性能SSD市場への対応：PCIe 5.0のサポートを拡大し、高性能SSD市場での地位を強化

SSDとNANDの違いは

SSD（Solid State Drive）とNANDフラッシュメモリは、ストレージ技術において密接に関連していますが、異なる役割を持っています。
NANDフラッシュメモリ
NANDフラッシュメモリは、不揮発性メモリの一種で、電源を切ってもデータを保持します。データをセルと呼ばれる小さな単位に保存し、これらのセルが集まってメモリチップを構成します12。
種類：NANDフラッシュメモリには、SLC（Single Level Cell）、MLC（Multi Level Cell）、TLC（Triple Level Cell）、QLC（Quad Level Cell）などの種類があり、それぞれデータの保存容量や耐久性が異なります2。
SSD
SSDは、NANDフラッシュメモリを記憶媒体として使用するストレージデバイスです。HDD（ハードディスクドライブ）と同じように、データの保存、読み取り、書き込みを行いますが、機械的な部品がないため、より高速で耐久性があります34。
構成：SSDは、NANDフラッシュメモリチップ、コントローラ、キャッシュメモリなどで構成されています。コントローラは、データの管理やエラー訂正、ウェアレベリング（特定のメモリセルの劣化を防ぐための技術）を行います4。
主な違い
役割：NANDフラッシュメモリはデータを保存するための基本的なメモリチップであり、SSDはこれらのチップを利用してデータの保存や管理を行うデバイスです。
構造：NANDフラッシュメモリはセルの集合体であり、SSDはこれらのメモリチップに加えて、コントローラやキャッシュメモリなどの部品を含む複合的なデバイスです。
このように、NANDフラッシュメモリはSSDの一部であり、SSDはNANDフラッシュメモリを利用してデータの保存を行う高度なストレージデバイスです。

QLC（Quad Level Cell）は、NANDフラッシュメモリの一種で、1つのセルに4ビットのデータを保存する技術です12。これにより、より高いデータ密度と大容量のストレージを実現しますが、耐久性や書き込み速度は他のNANDフラッシュメモリ（例えばSLCやMLC）に比べて劣ることがあります23。
QLCの特徴
高密度：1セルあたり4ビットのデータを保存できるため、同じ物理スペースでより多くのデータを保存可能12。
コスト効率：大容量ストレージを低コストで提供できるため、コストパフォーマンスに優れています23。
耐久性：書き換え回数が500～1,000回程度と、SLCやMLCに比べて低い3。
用途：主に読み取りが多く、書き込みが少ない用途に適しています。例えば、データアーカイブやメディアストレージなど2。
QLCは、特に大容量ストレージが求められるシナリオで有用ですが、頻繁な書き込みが必要な場合には他のNANDフラッシュメモリの方が適していることがあります。