世界の窒化ガリウム半導体デバイス産業分析レポート、成長、機会、トップメーカー、サイズ、シェア、動向概観 - 2023-2035年予測

窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場分析

窒化ガリウム（GaN）はダイレクトバンドギャップ半導体材料で、1990年代からLEDに頻繁に使用されている。また、半導体パワーデバイスやRFデバイス・システムの製造にも使用されている。電気自動車やハイブリッド車へのGaNの採用の増加、民生用電子機器への応用の増加は、予測期間中の窒化ガリウム半導体デバイス市場の成長を促進する主な要因である。2018年の国際エネルギー機関（IEA）の調査によると、2017年には100万台以上の電気自動車が販売され、世界の販売台数の半分以上を中国が占めている。

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窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場の地域別概要

窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場は、各国の市場成長を評価するため、地域別にさらに細分化されている。これには、北米（米国、カナダ、北米以外）、欧州（ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、英国、欧州以外）、アジア太平洋（中国、日本、インド、オーストラリア、シンガポール、アジア太平洋以外）、その他の地域が含まれます。

窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場セグメント

世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場は、製品別（GaN高周波デバイス、光半導体、パワー半導体）、ウェーハサイズ別（2インチ、4インチ、6インチ、8インチ）、用途別（自動車、民生用電子機器、防衛・航空宇宙、ヘルスケア、産業・電力、その他）、地域別に区分される。これらのセグメントはさらに様々な要因に基づいてサブセグメント化されており、各セグメントおよびサブセグメントの複合年間成長率、評価期間の市場価値および数量など、市場に関するいくつかの追加情報で構成されています。

競争環境

窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場における主な主要企業には、NexGen Power Systems, Inc.、Cree, Inc.、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.、GaN Systems, Inc.、Toshiba Corporation、富士通株式会社、NXP Semiconductor NV、Texas Instruments Incorporated、Infineon Technologies AG、Qorvo, Inc.などがあります。この調査には、窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場におけるこれら主要企業の詳細な競合分析、企業プロフィール、最近の動向、主要市場戦略が含まれています。