【基礎用語解説】フォトレジスト
フォトレジスト（Photoresist）とは、半導体製造の中でも微細な回路パターンをウェハー上に形成するリソグラフィ工程の中で用いられる材料です。
リソグラフィ工程は、一般的に３つの工程からなります。
フォトレジスト塗布：ウェハー全体にフォトレジストを塗布
露光：光でフォトレジストを感光（光で化学反応を誘起）
現像：光で反応した/していない部分のフォトレジストを除去
光が当たった部分を軟質化させて除去する場合のことをポジ型レジスト、逆に光が当たった部分を硬質化させて除去する場合のことをネガ型レジストと呼びます。現在はポジ型が主流のようです。
https://www.osakac.ac.jp/labs/matsuura/japanese/lecture/semicondic/ha/ha021.pdf
フォトレジストの主な構成要素は、ポリマー（高分子）、感光材、添加剤、溶剤の４つです。
g90723c08j.pdf (meti.go.jp)
ざっくり言うと、光からポリマーがエネルギーを吸収することで架橋して、強い三次元の網目状構造を作り、現像液に溶けなくなります（ネガ型の場合）。ja (jst.go.jp)
このことからフォトレジストは、特定の光の波長で化学反応を起こして、硬質化/軟質化して、現像液に不溶化/可溶化することが重要な役割となります。
参考文献
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