サムスン電子が新構造の半導体プロセスを発表
サムスン電子はサムスン·ファウンドリー·フォーラム2021をオンラインで開催した
🟩 サムスン電子が先進半導体プロセスロードマップを発表
サムスン電子は2022年前半に3nmプロセスのチップ設計の生産を開始すると発表しました。2023年には3nmの改善バージョンをリリースします。3nmプロセスは5 nmプロセスと比較して、面積が35％減少し、性能がが30％向上または、消費電力が50％削減されます。現在の歩留まりは、4nmプロセスと同様のレベルに近づいています。更にその先の先端2nmプロセスは開発の初期段階にあり、2025年に量産されることを明らかにしました。
2nmについてはファンドリー業界トップのTSMCも量産時期を明言していません。
🟩トランジスタ構造の採用
サムスンは3nmプロセスに新構造のMBCFET（マルチブリッジチャネル電界効果トランジスタ）を採用する発表しています。これは業界では一般的にGAA(Gate All Around)構造とよばれます。Intelの場合はRibbonFETと呼びますが、基本構造は同じです。現在の主流の先端プロセスのトランジスタ構造であるFinFETの集積度に限が見えてきています。そのため先端プロセはGAA構造に移行することが予測されています。
サムスン電子は新プロセスを新構造のGAAで量産することをで、半導体ファウンドリの技術力をアピールしようとしています。
🟩まとめ
サムスン電子は3nmプロセスに、新構造のトランジスタを用いることで、半導体ファンドリーの技術力をアピールしている。
先端のプロセスを製造できる企業は、台湾のTSMC、韓国のサムスン電子、米国のインテルだけです。電子立国日本企業の名前がないのが大変悲しい。
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